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电子元器件详细资料 » IC[28689] » SI3588DV-T1-E3
型号:SI3588DV-T1-E3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 20V 2.5/.57A 6TSOP

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 20V 2.5/.57A 6TSOP
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.5A,570mA
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C80 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大222450mV @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大830mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
供应商设备封装6-TSOP
包装剪切带 (CT)

供应商

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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司连18922803401
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SI3588DV-T1-E3相关型号

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